Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3

SISH112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

SISH112DN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISH112DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.70520 -
6,000 $0.67209 -
15,000 $0.64844 -
91 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 11.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2610 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Tc)
рабочая температура -50°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8SH
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8SH
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STW58N60DM2AG
STW58N60DM2AG
$0 $/кусок
AOB411L
IRFZ46ZSTRLPBF
FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/кусок
SPI12N50C3XKSA1
STF22N60DM6
STF22N60DM6
$0 $/кусок
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/кусок
IPD85P04P4L06ATMA1
SQS420EN-T1_GE3
SQS420EN-T1_GE3
$0 $/кусок
R6520ENJTL
R6520ENJTL
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.