Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

SISH407DN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISH407DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.38138 -
6,000 $0.35663 -
15,000 $0.34425 -
30,000 $0.33750 -
15000 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 15.4A (Ta), 25A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.8V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 93.8 nC @ 8 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2760 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8SH
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8SH
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PJP2NA60_T0_00001
2SK4077-ZK-E1-AY
TK35N65W5,S1F
DMN24H11DSQ-13
DMN24H11DSQ-13
$0 $/кусок
BSS84PWH6327XTSA1
DMN30H4D0LFDE-7
DMN30H4D0LFDE-7
$0 $/кусок
FQU3N50CTU
FQU3N50CTU
$0 $/кусок
AON6284A
PMCM4401UPEZ
PMCM4401UPEZ
$0 $/кусок
SISS42DN-T1-GE3
SISS42DN-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.