Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISH615ADN-T1-GE3

SISH615ADN-T1-GE3

SISH615ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK

SISH615ADN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISH615ADN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 22.1A (Ta), 35A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 2.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 183 nC @ 10 V
вгс (макс) ±12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 5590 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8SH
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8SH
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IRFR3709ZTRLPBF
IPP100N06S205AKSA1
IRFR120TRRPBF-BE3
IRFR120TRRPBF-BE3
$0 $/кусок
NTD4970N-1G
NTD4970N-1G
$0 $/кусок
PSMN005-75B,118
PSMN005-75B,118
$0 $/кусок
BSZ013NE2LS5IATMA1
DMP610DLQ-7
DMP610DLQ-7
$0 $/кусок
FQB9N25CTM
FQB9N25CTM
$0 $/кусок
SQJQ186ER-T1_GE3
SQJQ186ER-T1_GE3
$0 $/кусок
IXTH300N04T2
IXTH300N04T2
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.