Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

SOT-23

SISS30ADN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISS30ADN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.40000 $1.4
500 $1.386 $693
1000 $1.372 $1372
1500 $1.358 $2037
2000 $1.344 $2688
2500 $1.33 $3325
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 80 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 30 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1295 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

HAT2165N-EL-E
IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/кусок
P3M12040K4
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/кусок
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/кусок
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/кусок
SQ4840EY-T1_GE3
SQ4840EY-T1_GE3
$0 $/кусок
SQM100N04-2M7_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
$0 $/кусок
DMTH47M2LPSW-13
DMTH47M2LPSW-13
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.