Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3

SISS32ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

SISS32ADN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISS32ADN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.63000 $1.63
500 $1.6137 $806.85
1000 $1.5974 $1597.4
1500 $1.5811 $2371.65
2000 $1.5648 $3129.6
2500 $1.5485 $3871.25
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 80 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 17.4A (Ta), 63A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.6V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 36 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1520 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPB180P04P4L02ATMA2
TPN1110ENH,L1Q
2N6661
2N6661
$0 $/кусок
BUK9605-30A,118
BUK9605-30A,118
$0 $/кусок
SISS54DN-T1-GE3
SISS54DN-T1-GE3
$0 $/кусок
PJQ2407_R1_00001
SIHB28N60EF-T5-GE3
SIHB28N60EF-T5-GE3
$0 $/кусок
IRFS3004TRLPBF
NTE2390
NTE2390
$0 $/кусок
BSZ037N06LS5ATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.