Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISS60DN-T1-GE3

SISS60DN-T1-GE3

SISS60DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK

SISS60DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SISS60DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.71775 $0.71775
500 $0.7105725 $355.28625
1000 $0.703395 $703.395
1500 $0.6962175 $1044.32625
2000 $0.68904 $1378.08
2500 $0.6818625 $1704.65625
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 85.5 nC @ 10 V
вгс (макс) +16V, -12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3960 pF @ 15 V
особенность fet Schottky Diode (Body)
рассеиваемая мощность (макс.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

AOB29S50L
SIA432DJ-T1-GE3
SIA432DJ-T1-GE3
$0 $/кусок
NTD4858NT4G
NTD4858NT4G
$0 $/кусок
SQJ403BEEP-T1_BE3
SQJ403BEEP-T1_BE3
$0 $/кусок
IPT60R080G7XTMA1
FQI9N50TU
FQI9N50TU
$0 $/кусок
STP10N60M2
STP10N60M2
$0 $/кусок
IPW65R041CFDFKSA2
NP60N04VUK-E1-AY
TK11S10N1L,LXHQ

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.