Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISS66DN-T1-GE3

SISS66DN-T1-GE3

SISS66DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK

SISS66DN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISS66DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.71775 $0.71775
500 $0.7105725 $355.28625
1000 $0.703395 $703.395
1500 $0.6962175 $1044.32625
2000 $0.68904 $1378.08
2500 $0.6818625 $1704.65625
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.38mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 85.5 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3327 pF @ 15 V
особенность fet Schottky Diode (Body)
рассеиваемая мощность (макс.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

TN2425N8-G
TN2425N8-G
$0 $/кусок
BUK652R0-30C,127
BUK652R0-30C,127
$0 $/кусок
IPB80N06S2L09ATMA2
BSC265N10LSFGATMA1
STW70N60DM6-4
STW70N60DM6-4
$0 $/кусок
BUK9M6R6-30EX
BUK9M6R6-30EX
$0 $/кусок
AUIRF7640S2TR
AUIRF7640S2TR
$0 $/кусок
BSH105,215
BSH105,215
$0 $/кусок
APT40N60JCU2
APT40N60JCU2
$0 $/кусок
FQP27N25
FQP27N25
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.