Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

SISS94DN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISS94DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 75mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 21 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 350 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

BUK9609-55A,118
BUK9609-55A,118
$0 $/кусок
IRFBE20PBF
IRFBE20PBF
$0 $/кусок
SI3433CDV-T1-GE3
SI3433CDV-T1-GE3
$0 $/кусок
TSM60N900CP ROG
FDD8876
FDD8876
$0 $/кусок
SI4842BDY-T1-E3
SI4842BDY-T1-E3
$0 $/кусок
IXFT86N30T
IXFT86N30T
$0 $/кусок
SI8812DB-T2-E1
SI8812DB-T2-E1
$0 $/кусок
DI035P04PT-AQ
DI035P04PT-AQ
$0 $/кусок
DMN53D0LW-7
DMN53D0LW-7
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.