Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

SQJ402EP-T1_GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SQJ402EP-T1_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.68880 -
6,000 $0.65646 -
15,000 $0.63336 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 32A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 11mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 51 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2289 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/кусок
P3M12160K3
APT6029BLLG
APT6029BLLG
$0 $/кусок
TK380P65Y,RQ
IPT60R102G7XTMA1
R6003KND3TL1
R6003KND3TL1
$0 $/кусок
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/кусок
FQA24N60
FQA24N60
$0 $/кусок
IPB100N06S3-04
FQD11P06TM
FQD11P06TM
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.