Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8

SQJ416EP-T1_GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SQJ416EP-T1_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.39663 -
6,000 $0.37089 -
15,000 $0.35802 -
30,000 $0.35100 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 27A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 20 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 800 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 45W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXTX40P50P
IXTX40P50P
$0 $/кусок
STB35N60DM2
STB35N60DM2
$0 $/кусок
IRLU024NPBF
IRLU024NPBF
$0 $/кусок
FDD6670A_NL
FDD6670A_NL
$0 $/кусок
SPP11N80C3XKSA1
APT6025SVRG
APT6025SVRG
$0 $/кусок
IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
$0 $/кусок
R6007JNXC7G
R6007JNXC7G
$0 $/кусок
CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT
$0 $/кусок
SIHB22N60ET5-GE3
SIHB22N60ET5-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.