Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8

SQJ431AEP-T1_GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SQJ431AEP-T1_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.71635 -
6,000 $0.68272 -
15,000 $0.65869 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 9.4A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 305mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 85 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3700 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 68W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RJK0353DPA-01#J0B
IRFP243
IRFP243
$0 $/кусок
NTBS9D0N10MC
NTBS9D0N10MC
$0 $/кусок
NTMFS4934NT1G
NTMFS4934NT1G
$0 $/кусок
IRLR3110ZTRLPBF
IPP110N20N3GXKSA1
R6009JNJGTL
R6009JNJGTL
$0 $/кусок
NVMFS6H836NLWFT1G
NVMFS6H836NLWFT1G
$0 $/кусок
APT60M80L2VRG
APT60M80L2VRG
$0 $/кусок
IXTT110N10L2
IXTT110N10L2
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.