Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

SQJ886EP-T1_GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SQJ886EP-T1_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.61221 -
6,000 $0.58347 -
15,000 $0.56294 -
1 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 40 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 65 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2922 pF @ 20 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 55W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FQI3N25TU
FQI3N25TU
$0 $/кусок
SIHFR1N60A-GE3
SIHFR1N60A-GE3
$0 $/кусок
IRFR3504ZTRPBF
FDP15N50
FDP15N50
$0 $/кусок
ISP13DP06NMSATMA1
BSC026N02KSGAUMA1
STF43N60DM2
STF43N60DM2
$0 $/кусок
NTTFS4928NTAG
NTTFS4928NTAG
$0 $/кусок
RD3G01BATTL1
RD3G01BATTL1
$0 $/кусок
IXTP20N65XM
IXTP20N65XM
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.