Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQM100N10-10_GE3

SQM100N10-10_GE3

SQM100N10-10_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 100A TO263

SQM100N10-10_GE3 Техническая спецификация

compliant

SQM100N10-10_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
800 $1.68300 $1346.4
1,600 $1.57080 -
2,400 $1.49226 -
5,600 $1.43616 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 100A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 185 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 8050 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 375W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-263 (D²Pak)
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPD60R600C6ATMA1
APT10090SLLG
APT10090SLLG
$0 $/кусок
BSZ065N06LS5ATMA1
AUIRL2203N
AUIRL2203N
$0 $/кусок
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
DMNH6008SCTQ
DMNH6008SCTQ
$0 $/кусок
RM6N100S4
RM6N100S4
$0 $/кусок
IPD65R600E6ATMA1
DMN3150LW-7
DMN3150LW-7
$0 $/кусок
BSZ160N10NS3GATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.