Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQP120N10-3M8_GE3

SQP120N10-3M8_GE3

SQP120N10-3M8_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

SQP120N10-3M8_GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SQP120N10-3M8_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $3.51000 $3.51
10 $3.13500 $31.35
100 $2.57070 $257.07
500 $2.08164 $1040.82
1,000 $1.75560 -
2,500 $1.66782 -
5,000 $1.60512 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Last Time Buy
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 120A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 190 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 7230 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220AB
упаковка / кейс TO-220-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTMTS4D3N15MC
NTMTS4D3N15MC
$0 $/кусок
IPB100N12S305ATMA1
HUFA76609D3ST_NL
BSC027N04LSGATMA1
DN3525N8-G
DN3525N8-G
$0 $/кусок
SIRC06DP-T1-GE3
SIRC06DP-T1-GE3
$0 $/кусок
FDA15N65
FDA15N65
$0 $/кусок
IPB030N08N3GATMA1
STP11NK50Z
STP11NK50Z
$0 $/кусок
SI2365EDS-T1-BE3
SI2365EDS-T1-BE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.