Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Active |
| тип fet | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| особенность fet | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 200A (Tj) |
| rds на (макс) @ id, vgs | 6.9mOhm @ 200A, 15V |
| vgs(th) (макс) @ id | 3.6V @ 69mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 708nC @ 15V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 20.4nF @ 800V |
| мощность - макс. | 10mW (Tc) |
| рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления | Chassis Mount |
| упаковка / кейс | Module |
| пакет устройства поставщика | - |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.