Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Obsolete |
| тип fet | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| особенность fet | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 444A (Tc) |
| rds на (макс) @ id, vgs | 4.3mOhm @ 400A, 20V |
| vgs(th) (макс) @ id | 4V @ 105mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 1127nC @ 20V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 19.5nF @ 1000V |
| мощность - макс. | 3000W |
| рабочая температура | 175°C (TJ) |
| тип крепления | - |
| упаковка / кейс | Module |
| пакет устройства поставщика | Module |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.