Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPLK60R1K0PFD7ATMA1

IPLK60R1K0PFD7ATMA1

IPLK60R1K0PFD7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK

IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Техническая спецификация

compliant

IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
4285 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 5.2A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.5V @ 50µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 6 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 230 pF @ 400 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 31.3W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TDSON-8-52
упаковка / кейс 8-PowerTDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

3LN01M-TL-H
3LN01M-TL-H
$0 $/кусок
2SK3299B-S19-AY
TPH11006NL,LQ
SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3
$0 $/кусок
SCH1335-TL-H
SCH1335-TL-H
$0 $/кусок
SIDR626EP-T1-RE3
SIDR626EP-T1-RE3
$0 $/кусок
SIS178LDN-T1-GE3
SIS178LDN-T1-GE3
$0 $/кусок
IPA030N10NF2SXKSA1
FDD6670S
FDD6670S
$0 $/кусок
STH175N4F6-6AG
STH175N4F6-6AG
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.