Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB

IRF1010NPBF Техническая спецификация

compliant

IRF1010NPBF Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.76000 $1.76
10 $1.57500 $15.75
100 $1.26220 $126.22
500 $0.99750 $498.75
1,000 $0.80501 -
7817 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 55 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 85A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 11mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 120 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3210 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 180W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220AB
упаковка / кейс TO-220-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
$0 $/кусок
STD13N60M6
STD13N60M6
$0 $/кусок
IXTP120N04T2
IXTP120N04T2
$0 $/кусок
RM30P30D3
RM30P30D3
$0 $/кусок
STW46NF30
STW46NF30
$0 $/кусок
SISS06DN-T1-GE3
SISS06DN-T1-GE3
$0 $/кусок
RQ3E130BNTB
RQ3E130BNTB
$0 $/кусок
SI2367DS-T1-GE3
SI2367DS-T1-GE3
$0 $/кусок
SIHK055N60EF-T1GE3
SIHK055N60EF-T1GE3
$0 $/кусок
NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.