Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IXTA32P20T-TRL

IXTA32P20T-TRL

IXTA32P20T-TRL

IXYS

MOSFET P-CH 200V 32A TO263

IXTA32P20T-TRL Техническая спецификация

compliant

IXTA32P20T-TRL Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $5.86025 $5.86025
500 $5.8016475 $2900.82375
1000 $5.743045 $5743.045
1500 $5.6844425 $8526.66375
2000 $5.62584 $11251.68
2500 $5.5672375 $13918.09375
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 32A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 130mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 185 nC @ 10 V
вгс (макс) ±15V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 14500 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-263 (D2Pak)
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

LND150N3-G-P003
SI4686DY-T1-GE3
SI4686DY-T1-GE3
$0 $/кусок
SIHF35N60EF-GE3
SIHF35N60EF-GE3
$0 $/кусок
FDB075N15A
FDB075N15A
$0 $/кусок
RQ6C050BCTCR
RQ6C050BCTCR
$0 $/кусок
BSC110N06NS3GATMA1
FDA24N50F
FDA24N50F
$0 $/кусок
SIHG24N80AE-GE3
SIHG24N80AE-GE3
$0 $/кусок
SIJH600E-T1-GE3
SIJH600E-T1-GE3
$0 $/кусок
PSMN005-30K,518
PSMN005-30K,518
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.