Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RM150N60HD

RM150N60HD

RM150N60HD

Rectron USA

MOSFET N-CH 60V 150A TO263-2

RM150N60HD Техническая спецификация

несоответствующий

RM150N60HD Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 150A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs -
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 6500 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 220W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-263-2
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI7898DP-T1-GE3
SI7898DP-T1-GE3
$0 $/кусок
IXTY1N120P
IXTY1N120P
$0 $/кусок
IPD90P04P4L04ATMA1
FQA19N60
FQA19N60
$0 $/кусок
IXFN48N60P
IXFN48N60P
$0 $/кусок
SI2323DS-T1-BE3
SI2323DS-T1-BE3
$0 $/кусок
IPD30N06S223ATMA2
SQJ416EP-T1_BE3
SQJ416EP-T1_BE3
$0 $/кусок
FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
$0 $/кусок
SIHD7N60ET4-GE3
SIHD7N60ET4-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.