Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RM170N30DF

RM170N30DF

RM170N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN

RM170N30DF Техническая спецификация

несоответствующий

RM170N30DF Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.69000 $0.69
500 $0.6831 $341.55
1000 $0.6762 $676.2
1500 $0.6693 $1003.95
2000 $0.6624 $1324.8
2500 $0.6555 $1638.75
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 170A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.65mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs -
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 7300 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 75W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-DFN (5x6)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

APT8052BLLG
APT8052BLLG
$0 $/кусок
IXTA12N65X2
IXTA12N65X2
$0 $/кусок
IPU80R1K0CEAKMA1
IRF9630
IRF9630
$0 $/кусок
RS1E130GNTB
RS1E130GNTB
$0 $/кусок
PJP6NA90_T0_00001
RJK60S4DPP-E0#T2
AO3422
SISS67DN-T1-GE3
SISS67DN-T1-GE3
$0 $/кусок
STB28N60M2
STB28N60M2
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.