Welcome to ichome.com!

logo
Дом

RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Rohm Semiconductor

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F

RU1C002ZPTCL Техническая спецификация

compliant

RU1C002ZPTCL Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.04140 -
6,000 $0.03600 -
15,000 $0.03060 -
30,000 $0.02880 -
75,000 $0.02700 -
150,000 $0.02520 -
2079 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 200mA (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.2V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 100µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 1.4 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±10V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 115 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 150mW (Ta)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика UMT3F
упаковка / кейс SC-85
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PJD6N10A_L2_00001
BSP230,135
BSP230,135
$0 $/кусок
PJD50N10AL_L2_00001
CPH6445-TL-W
CPH6445-TL-W
$0 $/кусок
TSM80N1R2CH C5G
AUIRFR4292TRL
AUIRFR4292TRL
$0 $/кусок
RP1E090RPTR
RP1E090RPTR
$0 $/кусок
SISA10BDN-T1-GE3
SISA10BDN-T1-GE3
$0 $/кусок
SQJ418EP-T1_BE3
SQJ418EP-T1_BE3
$0 $/кусок
NDS351AN
NDS351AN
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.