Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK16J60W,S1VE

TK16J60W,S1VE

TK16J60W,S1VE

Toshiba Semiconductor and Storage

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

TK16J60W,S1VE Техническая спецификация

несоответствующий

TK16J60W,S1VE Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $4.81000 $4.81
500 $4.7619 $2380.95
1000 $4.7138 $4713.8
1500 $4.6657 $6998.55
2000 $4.6176 $9235.2
2500 $4.5695 $11423.75
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 15.8A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.7V @ 790µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 38 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1350 pF @ 300 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 130W (Tc)
рабочая температура 150°C
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-3P(N)
упаковка / кейс TO-3P-3, SC-65-3
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPD14N06S280ATMA2
SQM110P06-8M9L_GE3
SQM110P06-8M9L_GE3
$0 $/кусок
IRLR8256TRPBF
IRLR8256TRPBF
$0 $/кусок
DMP6185SEQ-13
DMP6185SEQ-13
$0 $/кусок
G3R160MT17J
G3R160MT17J
$0 $/кусок
PJQ5450_R2_00001
R6530ENZ4C13
R6530ENZ4C13
$0 $/кусок
SIHP28N65EF-GE3
SIHP28N65EF-GE3
$0 $/кусок
TK125V65Z,LQ
SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.