Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

SIDR610DP-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SIDR610DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $1.92015 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 38 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1380 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8DC
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FCPF190N60E-F154
FCPF190N60E-F154
$0 $/кусок
IXFR64N60P
IXFR64N60P
$0 $/кусок
ISL9N302AS3
ISL9N302AS3
$0 $/кусок
IXTT74N20P
IXTT74N20P
$0 $/кусок
IRF5210STRLPBF
FDPF20N50
FDPF20N50
$0 $/кусок
SIS184DN-T1-GE3
SIS184DN-T1-GE3
$0 $/кусок
STB120N4F6
STB120N4F6
$0 $/кусок
SIHFS11N50A-GE3
SIHFS11N50A-GE3
$0 $/кусок
FDS86540
FDS86540
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.