Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIHF080N60E-GE3

SIHF080N60E-GE3

SIHF080N60E-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL

SIHF080N60E-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIHF080N60E-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $4.56000 $4.56
500 $4.5144 $2257.2
1000 $4.4688 $4468.8
1500 $4.4232 $6634.8
2000 $4.3776 $8755.2
2500 $4.332 $10830
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 14A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 80mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 63 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2557 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 35W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220 Full Pack
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NP82N04NDG-S18-AY
HUF76407D3
HUF76407D3
$0 $/кусок
PJE8407_R1_00001
IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3
$0 $/кусок
PMPB12R5EPX
PMPB12R5EPX
$0 $/кусок
STP60NF06L
STP60NF06L
$0 $/кусок
FQB5N40TM
FQB5N40TM
$0 $/кусок
SIHP5N80AE-GE3
SIHP5N80AE-GE3
$0 $/кусок
SISS32ADN-T1-GE3
SISS32ADN-T1-GE3
$0 $/кусок
IPB180P04P4L02ATMA2

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.