Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

SIS822DNT-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIS822DNT-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
6,000 $0.12123 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 12 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 435 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 15.6W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXFA12N50P
IXFA12N50P
$0 $/кусок
FQU10N20CTU
FQU10N20CTU
$0 $/кусок
FDZ661PZ
FDZ661PZ
$0 $/кусок
PMX400UPZ
PMX400UPZ
$0 $/кусок
SSM3J135TU,LF
SIA416DJ-T1-GE3
SIA416DJ-T1-GE3
$0 $/кусок
AOT4N60
RJK60S5DPK-M0#T0
FDB016N04AL7
FDB016N04AL7
$0 $/кусок
STD4N90K5
STD4N90K5
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.