Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

SISA26DN-T1-GE3 Техническая спецификация

несоответствующий

SISA26DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.33814 -
6,000 $0.31482 -
15,000 $0.30316 -
30,000 $0.29680 -
0 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 25 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 44 nC @ 10 V
вгс (макс) +16V, -12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2247 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 39W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STW70N65DM6-4
STW70N65DM6-4
$0 $/кусок
FDPF10N50FT
FDPF10N50FT
$0 $/кусок
2N7002NXAKR
2N7002NXAKR
$0 $/кусок
APT60M60JLL
APT60M60JLL
$0 $/кусок
BSC160N15NS5ATMA1
SI4116DY-T1-E3
SI4116DY-T1-E3
$0 $/кусок
DMN67D8LW-13
DMN67D8LW-13
$0 $/кусок
SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3
$0 $/кусок
DMT3006LDK-7
DMT3006LDK-7
$0 $/кусок
R6030JNZ4C13
R6030JNZ4C13
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.