Welcome to ichome.com!

logo
Дом

STB18NM60ND

STB18NM60ND

STB18NM60ND

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

STB18NM60ND Техническая спецификация

compliant

STB18NM60ND Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $3.44270 -
2,000 $3.28947 -
681 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 13A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 34 nC @ 10 V
вгс (макс) ±25V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1030 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика D²PAK (TO-263)
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RU1C002ZPTCL
RU1C002ZPTCL
$0 $/кусок
PJD6N10A_L2_00001
BSP230,135
BSP230,135
$0 $/кусок
PJD50N10AL_L2_00001
CPH6445-TL-W
CPH6445-TL-W
$0 $/кусок
TSM80N1R2CH C5G
AUIRFR4292TRL
AUIRFR4292TRL
$0 $/кусок
RP1E090RPTR
RP1E090RPTR
$0 $/кусок
SISA10BDN-T1-GE3
SISA10BDN-T1-GE3
$0 $/кусок
SQJ418EP-T1_BE3
SQJ418EP-T1_BE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.